창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-G8P1A4PVASDC12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | G8PT Series | |
기타 관련 문서 | How to Read Date Codes | |
종류 | 계전기 | |
제품군 | 전력 계전기, 2A 이상 | |
제조업체 | Omron Electronics Inc-EMC Div | |
계열 | G8P | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | * | |
계전기 유형 | 범용 | |
코일 유형 | 비 래칭 | |
코일 전류 | 77mA | |
코일 전압 | 12VDC | |
접점 형태 | SPST-NO(1 Form A) | |
접점 정격(전류) | 30A | |
스위칭 전압 | 250VAC, 28VDC - 최대 | |
턴온 전압(최대) | 9 VDC | |
턴오프 전압(최소) | 1.2 VDC | |
작동 시간 | 15ms | |
해제 시간 | 10ms | |
특징 | 절연 - Class F, 씰링 - 완전 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
종단 유형 | PC 핀 | |
접점 소재 | 은 카드뮴 산화물(AgCdO) | |
코일 전력 | 900 mW | |
코일 저항 | 155옴 | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | G8P-1A4P-VASDC12 G8P-1A4P-VASDC12-ND G8P1A4PVASDC12BYOMZ G8P1A4PVASDC12BYOMZ-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | G8P1A4PVASDC12 | |
관련 링크 | G8P1A4PV, G8P1A4PVASDC12 데이터 시트, Omron Electronics Inc-EMC Div 에이전트 유통 |
GDZ30B-G3-18 | DIODE ZENER 30V 200MW SOD323 | GDZ30B-G3-18.pdf | ||
LQH2MCN1R5M52L | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 540mA 429 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | LQH2MCN1R5M52L.pdf | ||
CRCW06031K18FKEAHP | RES SMD 1.18K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW06031K18FKEAHP.pdf | ||
DPX205950DT-9108A1 | RF Diplexor 2.3GHz ~ 2.5GHz / 4.9GHz ~ 5.95GHz 0805 (2012 Metric) | DPX205950DT-9108A1.pdf | ||
FT-H35-M3T | FT-H35-M2 WITH 3M LONG FIBER | FT-H35-M3T.pdf | ||
C3225JB1C226M | C3225JB1C226M TDK SMD or Through Hole | C3225JB1C226M.pdf | ||
29LV160BTXEC | 29LV160BTXEC MX SMD or Through Hole | 29LV160BTXEC.pdf | ||
GBAS70A | GBAS70A GTM SOT-23 | GBAS70A.pdf | ||
BA7792GS08 | BA7792GS08 tfk SMD or Through Hole | BA7792GS08.pdf | ||
TA3504P | TA3504P TOSHIBA DIP8 | TA3504P.pdf | ||
pmv213sn-215 | pmv213sn-215 ORIGINAL SMD or Through Hole | pmv213sn-215.pdf | ||
5499374-2 | 5499374-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 5499374-2.pdf |