창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-G8P-1CP DC9V | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | G8P-1CP DC9V | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | G8P-1CP DC9V | |
관련 링크 | G8P-1CP, G8P-1CP DC9V 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | CGA2B2C0G1H561J050BA | 560pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2C0G1H561J050BA.pdf | |
![]() | C330C154K1R5TA | 0.15µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | C330C154K1R5TA.pdf | |
![]() | SQCB7M150FAJME | 15pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M150FAJME.pdf | |
![]() | NLV32T-2R7J-EFD | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-2R7J-EFD.pdf | |
![]() | AD1981BSJT | AD1981BSJT AD QFP | AD1981BSJT.pdf | |
![]() | TX2CATS302T | TX2CATS302T SILICON SOP | TX2CATS302T.pdf | |
![]() | 3590S-4 | 3590S-4 BOURNS SMD or Through Hole | 3590S-4.pdf | |
![]() | GC220A24-R7B | GC220A24-R7B MW SMD or Through Hole | GC220A24-R7B.pdf | |
![]() | 1PXFS1MDR1714-103(P11215601) | 1PXFS1MDR1714-103(P11215601) ORIGINAL SMD or Through Hole | 1PXFS1MDR1714-103(P11215601).pdf | |
![]() | 2.2UF6.3VV/A | 2.2UF6.3VV/A NEC SMD | 2.2UF6.3VV/A.pdf | |
![]() | GL513F | GL513F ORIGINAL SMD or Through Hole | GL513F.pdf | |
![]() | RT9285APQW | RT9285APQW RICHTEK QFN | RT9285APQW.pdf |