창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G8JR-1A7T-R-DC12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | G8JR Series | |
| 기타 관련 문서 | How to Read Date Codes | |
| 제품 교육 모듈 | Medical Solutions | |
| 카탈로그 페이지 | 2594 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 계전기 | |
| 제품군 | 전력 계전기, 2A 이상 | |
| 제조업체 | Omron Electronics Inc-EMC Div | |
| 계열 | G8JR | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 계전기 유형 | 자동차 | |
| 코일 유형 | 비 래칭 | |
| 코일 전류 | - | |
| 코일 전압 | 12VDC | |
| 접점 형태 | SPST-NO(1 Form A) | |
| 접점 정격(전류) | 50A | |
| 스위칭 전압 | 16VDC - 최대 | |
| 턴온 전압(최대) | 8 VDC | |
| 턴오프 전압(최소) | 1 VDC | |
| 작동 시간 | 20ms | |
| 해제 시간 | 20ms | |
| 특징 | 저항기 | |
| 실장 유형 | 소켓장착가능 | |
| 종단 유형 | 플러그인 | |
| 접점 소재 | 은 주석 산화물(AgSnO) | |
| 코일 전력 | 2 W | |
| 코일 저항 | 64.5옴 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | G8JR1A7TRDC12 G8JR1A7TRDC12BYOKA1 Z2716 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | G8JR-1A7T-R-DC12 | |
| 관련 링크 | G8JR-1A7T, G8JR-1A7T-R-DC12 데이터 시트, Omron Electronics Inc-EMC Div 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-S12F3240U | RES SMD 324 OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F3240U.pdf | |
![]() | AM79C940AKC | AM79C940AKC AMD QFP | AM79C940AKC.pdf | |
![]() | R413F1470DQM1K | R413F1470DQM1K KEMET SMD or Through Hole | R413F1470DQM1K.pdf | |
![]() | CR41232076101 | CR41232076101 CR 7.2 18 | CR41232076101.pdf | |
![]() | LC4032ZE | LC4032ZE LATTICE QFP | LC4032ZE.pdf | |
![]() | SUNCG1LP1199 | SUNCG1LP1199 PHILIPS QFP80 | SUNCG1LP1199.pdf | |
![]() | 2SC5617 NOPB | 2SC5617 NOPB NEC SOT423 | 2SC5617 NOPB.pdf | |
![]() | B65661D0000R048 | B65661D0000R048 epcos SMD or Through Hole | B65661D0000R048.pdf | |
![]() | SX6E-144S-0.8SH(20) | SX6E-144S-0.8SH(20) HRS SMD or Through Hole | SX6E-144S-0.8SH(20).pdf | |
![]() | TE28F002BVB-80 | TE28F002BVB-80 INTEL TSOP40 | TE28F002BVB-80.pdf | |
![]() | BA7711 | BA7711 ROHM DIP | BA7711.pdf | |
![]() | EDEN-ESP7000 | EDEN-ESP7000 VIA BGA | EDEN-ESP7000.pdf |