창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G6C-1117P-U | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G6C-1117P-U | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G6C-1117P-U | |
| 관련 링크 | G6C-11, G6C-1117P-U 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CQ0402ARNPO9BN1R5 | 1.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CQ0402ARNPO9BN1R5.pdf | |
![]() | VJ0805D300JXAAP | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D300JXAAP.pdf | |
![]() | H5PS1G83EFR-Y5,SDRAM DDR2-667 5-5-5 1G | H5PS1G83EFR-Y5,SDRAM DDR2-667 5-5-5 1G HYNIX FBGA60 | H5PS1G83EFR-Y5,SDRAM DDR2-667 5-5-5 1G.pdf | |
![]() | USBN9604-28MX-CT | USBN9604-28MX-CT NSC SMD or Through Hole | USBN9604-28MX-CT.pdf | |
![]() | SM7720DESV-150.0M | SM7720DESV-150.0M PLETRONICS SMD | SM7720DESV-150.0M.pdf | |
![]() | H11DX-Q5172 | H11DX-Q5172 QTC DIP-6 | H11DX-Q5172.pdf | |
![]() | LG217D | LG217D KODENSHI SMD or Through Hole | LG217D.pdf | |
![]() | TDA2231-5 | TDA2231-5 N/A N A | TDA2231-5.pdf | |
![]() | CM32X7R104K50VA(GEG4 | CM32X7R104K50VA(GEG4 ORIGINAL SMD or Through Hole | CM32X7R104K50VA(GEG4.pdf | |
![]() | 1SS304 / A6 | 1SS304 / A6 NEC SOT-323 | 1SS304 / A6.pdf | |
![]() | 2SJ600(-Z) | 2SJ600(-Z) NEC TO-251252 | 2SJ600(-Z).pdf |