창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G4BC10SD-S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G4BC10SD-S | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-263 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G4BC10SD-S | |
| 관련 링크 | G4BC10, G4BC10SD-S 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VP0109N3-G | MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3 | VP0109N3-G.pdf | |
| P0182NL | Unshielded 2 Coil Inductor Array 270.2µH Inductance - Connected in Series 67.5µH Inductance - Connected in Parallel 224 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 1.5A Nonstandard | P0182NL.pdf | ||
![]() | FP0807R1-R20-R | 200nH Unshielded Wirewound Inductor 49A 0.5 mOhm Nonstandard | FP0807R1-R20-R.pdf | |
![]() | PALCE26V12H-10JC | PALCE26V12H-10JC AMD PLCC | PALCE26V12H-10JC.pdf | |
![]() | CSI4S9129 | CSI4S9129 CSI DIP8 | CSI4S9129.pdf | |
![]() | VH28-11F24-S01 | VH28-11F24-S01 ORIGINAL SMD or Through Hole | VH28-11F24-S01.pdf | |
![]() | 6.3ZLG47M5X7 | 6.3ZLG47M5X7 RUBYCON DIP | 6.3ZLG47M5X7.pdf | |
![]() | 2SC5320 | 2SC5320 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC5320.pdf | |
![]() | 0N3131-S.SL | 0N3131-S.SL PANASOSIC DIP4 | 0N3131-S.SL.pdf | |
![]() | 2SC2880-Y(TE12L,CF) | 2SC2880-Y(TE12L,CF) TOSHIBA NA | 2SC2880-Y(TE12L,CF).pdf | |
![]() | BQ26220PWG4 | BQ26220PWG4 TI SOP | BQ26220PWG4.pdf | |
![]() | CC06N472J050TB4 | CC06N472J050TB4 HEC 1206-472J | CC06N472J050TB4.pdf |