- G32ATB503M
G32ATB503M 가격 및 조달
가능 수량
43340 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 G32ATB503M 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. G32ATB503M 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. G32ATB503M가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- G32ATB503M 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
G32ATB503M 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-G32ATB503M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G32ATB503M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 33-50K | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G32ATB503M | |
| 관련 링크 | G32ATB, G32ATB503M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
G32ATB503M 의 관련 제품
 | 2-1879065-4 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 2-1879065-4.pdf | |
| PE-1206CD820JTT | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 900mA 210 mOhm Max Nonstandard | PE-1206CD820JTT.pdf | |
 | RG3216V-1912-B-T5 | RES SMD 19.1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-1912-B-T5.pdf | |
| ECH8603-1L/JC3E3 | ECH8603-1L/JC3E3 SANYO 23-8 | ECH8603-1L/JC3E3.pdf | |
| HA1826 | HA1826 HITACHI DIP | HA1826.pdf | |
| MAX13845EESA | MAX13845EESA MAXIM SOP8 | MAX13845EESA.pdf | |
| SD405 | SD405 HFO TO-220 | SD405.pdf | |
| LT1192BCS8 | LT1192BCS8 Linear SOP8 | LT1192BCS8.pdf | |
| 75076126(SC433662CFN) | 75076126(SC433662CFN) MOT PLCC44 | 75076126(SC433662CFN).pdf | |
| D110277-10 | D110277-10 HARTUBE SMD or Through Hole | D110277-10.pdf | |
| 177984-0 | 177984-0 Tyco/AMP N A | 177984-0.pdf | |
| DS485BMX | DS485BMX NS SMD | DS485BMX.pdf |