창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G2RL-1A-E-EV-DC12V | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G2RL-1A-E-EV-DC12V | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G2RL-1A-E-EV-DC12V | |
| 관련 링크 | G2RL-1A-E-, G2RL-1A-E-EV-DC12V 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 08051A121JAT4A | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A121JAT4A.pdf | |
![]() | 445A25C20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 16pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25C20M00000.pdf | |
![]() | 520L05HA16M3690 | 16.369MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2mA | 520L05HA16M3690.pdf | |
![]() | NVMFS5834NLT3G | MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL | NVMFS5834NLT3G.pdf | |
![]() | T510B686K006AS | T510B686K006AS KEMET SMD or Through Hole | T510B686K006AS.pdf | |
![]() | M20183H | M20183H HT DIP32 | M20183H.pdf | |
![]() | 54548-1171 | 54548-1171 molex SMD or Through Hole | 54548-1171.pdf | |
![]() | MSPM-20-01 | MSPM-20-01 RIC SMD or Through Hole | MSPM-20-01.pdf | |
![]() | LTC292DIN8 | LTC292DIN8 ORIGINAL SMD or Through Hole | LTC292DIN8.pdf | |
![]() | MCP78U-A2 | MCP78U-A2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCP78U-A2.pdf | |
![]() | IT8835 | IT8835 IT SMD or Through Hole | IT8835.pdf | |
![]() | F325NV02A | F325NV02A SAMSUNG DIP-16 | F325NV02A.pdf |