창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G212BDJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G212BDJ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G212BDJ | |
| 관련 링크 | G212, G212BDJ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ELC-09D4R7F | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 3A 18 mOhm Radial | ELC-09D4R7F.pdf | |
![]() | SMF551KJT | RES SMD 51K OHM 5% 5W 5329 | SMF551KJT.pdf | |
![]() | CMF5533K200FKBF | RES 33.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5533K200FKBF.pdf | |
![]() | CC430F5133IRGZR | IC RF TxRx + MCU General ISM < 1GHz 300MHz ~ 348MHz, 389MHz ~ 464MHz, 779MHz ~ 928MHz 48-VFQFN Exposed Pad | CC430F5133IRGZR.pdf | |
![]() | G4BC30K-S | G4BC30K-S IR SOT-263 | G4BC30K-S.pdf | |
![]() | UPW1V101MPH1TD | UPW1V101MPH1TD NICHICON SMD or Through Hole | UPW1V101MPH1TD.pdf | |
![]() | SDSG61B-4R2M(5D11-4R2M) | SDSG61B-4R2M(5D11-4R2M) ORIGINAL 3.5K | SDSG61B-4R2M(5D11-4R2M).pdf | |
![]() | S38AC023PI04 | S38AC023PI04 ORIGINAL DIP | S38AC023PI04.pdf | |
![]() | 1740671001 | 1740671001 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1740671001.pdf | |
![]() | B7703(836.5M) | B7703(836.5M) ORIGINAL SMD or Through Hole | B7703(836.5M).pdf | |
![]() | 1718520 | 1718520 PHOENIX/WSI SMD or Through Hole | 1718520.pdf | |
![]() | AP640R2-00 | AP640R2-00 SKW SMD or Through Hole | AP640R2-00.pdf |