창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-G10N120RUFD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | G10N120RUFD | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-220F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | G10N120RUFD | |
| 관련 링크 | G10N120, G10N120RUFD 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A2R7BAT2A | 2.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A2R7BAT2A.pdf | |
![]() | HDE102MBDDJ0KR | 1000pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | HDE102MBDDJ0KR.pdf | |
![]() | SQCAEA8R2JATME | 8.2pF 150V 세라믹 커패시터 A 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEA8R2JATME.pdf | |
![]() | 445I32G20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32G20M00000.pdf | |
![]() | 77052022A | 77052022A INTERSIL CLCC20 | 77052022A.pdf | |
![]() | K5L6532ATM | K5L6532ATM SAMSUNG BGA | K5L6532ATM.pdf | |
![]() | 06481-973096-0421 | 06481-973096-0421 S CDIP16 | 06481-973096-0421.pdf | |
![]() | VE405177K33 | VE405177K33 ORIGINAL SMD or Through Hole | VE405177K33.pdf | |
![]() | AT52BR1664-90CI | AT52BR1664-90CI ATMEL SMD or Through Hole | AT52BR1664-90CI.pdf | |
![]() | HAT902CSDC12 | HAT902CSDC12 HASCO SMD or Through Hole | HAT902CSDC12.pdf | |
![]() | 72V275L15TFI | 72V275L15TFI IDT SMD or Through Hole | 72V275L15TFI.pdf | |
![]() | PS21553-N | PS21553-N MITSUBISHI SMD or Through Hole | PS21553-N.pdf |