창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FZT651TA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FZT651 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Mark Update 13/Jan/2015 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1461 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 175MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | FZT651TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FZT651TA | |
| 관련 링크 | FZT6, FZT651TA 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GL073F35IET | 7.3728MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL073F35IET.pdf | |
![]() | 7110-RC | 510µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3A DCR 20 mOhm | 7110-RC.pdf | |
![]() | CMF5511K600BHBF | RES 11.6K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5511K600BHBF.pdf | |
![]() | NUD3124DMT1 | NUD3124DMT1 ONS Call | NUD3124DMT1.pdf | |
![]() | PCF8584TD-T | PCF8584TD-T PHI SOP207.2MM | PCF8584TD-T.pdf | |
![]() | STE3117A | STE3117A ST SMD | STE3117A.pdf | |
![]() | W21N60ED | W21N60ED ON TO-3P | W21N60ED.pdf | |
![]() | MCP100-450HI | MCP100-450HI MICROCHIP TO-92 | MCP100-450HI.pdf | |
![]() | TPSE476K035R0100 | TPSE476K035R0100 AVX SMD | TPSE476K035R0100.pdf | |
![]() | HFA-1113MJ/883B | HFA-1113MJ/883B HAR SMD or Through Hole | HFA-1113MJ/883B.pdf | |
![]() | DE0807-410E102MVA3 | DE0807-410E102MVA3 MUR SMD or Through Hole | DE0807-410E102MVA3.pdf |