창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FT1210BW | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | FT1210BW | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-220F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | FT1210BW | |
| 관련 링크 | FT12, FT1210BW 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| B32671P6154K | 0.15µF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.236" W (13.00mm x 6.00mm) | B32671P6154K.pdf | ||
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![]() | LGJ7045TC-1R0N-D | 1µH Shielded Wirewound Inductor 5.2A 9.6 mOhm Nonstandard | LGJ7045TC-1R0N-D.pdf | |
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![]() | MC-5818 | MC-5818 NEC SMD or Through Hole | MC-5818.pdf | |
![]() | M5M4V17405CTP-6SA06P | M5M4V17405CTP-6SA06P MIT QFP | M5M4V17405CTP-6SA06P.pdf | |
![]() | K4H561638D-TLB3 | K4H561638D-TLB3 SAMSUNG TSSOP66 | K4H561638D-TLB3.pdf | |
![]() | CS646B | CS646B CS DIP-8 | CS646B.pdf | |
![]() | uln2003apg. | uln2003apg. TOS NA | uln2003apg..pdf | |
![]() | PRF21BB471QB4RA 0805-470R | PRF21BB471QB4RA 0805-470R MURATA SMD or Through Hole | PRF21BB471QB4RA 0805-470R.pdf | |
![]() | 6KA-00016P1 | 6KA-00016P1 Microsoft SMD or Through Hole | 6KA-00016P1.pdf | |
![]() | Si3050-E-FM | Si3050-E-FM SILICON QFN | Si3050-E-FM.pdf |