창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FST8335M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FST8320M~8340M D61-3M (Mini MOD) Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 80A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 80A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1.5mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | D61-3M | |
| 공급 장치 패키지 | D61-3M | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | FST8335MGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FST8335M | |
| 관련 링크 | FST8, FST8335M 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1121DI2-080.0000 | 80MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121DI2-080.0000.pdf | |
![]() | LQG15HN2N7S00D | LQG15HN2N7S00D MURATA SMD | LQG15HN2N7S00D.pdf | |
![]() | UPD784936AGF-162-3BA | UPD784936AGF-162-3BA NEC SMD or Through Hole | UPD784936AGF-162-3BA.pdf | |
![]() | 533REBD | 533REBD REBD SMD or Through Hole | 533REBD.pdf | |
![]() | CFR0U2J0102A1 | CFR0U2J0102A1 ROYALOHM SMD or Through Hole | CFR0U2J0102A1.pdf | |
![]() | 3666-0000 | 3666-0000 M SMD or Through Hole | 3666-0000.pdf | |
![]() | APT801R4AN | APT801R4AN APT TO-3 | APT801R4AN.pdf | |
![]() | DS21FF42N+ | DS21FF42N+ MAIXM NA | DS21FF42N+.pdf | |
![]() | MX29F040QI-90 | MX29F040QI-90 MXIC PLCC-32 | MX29F040QI-90.pdf | |
![]() | PL-2303HXCC2 | PL-2303HXCC2 n/a SMD or Through Hole | PL-2303HXCC2.pdf | |
![]() | LQW2BHN3N3D03K | LQW2BHN3N3D03K ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW2BHN3N3D03K.pdf |