창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FST160100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FST16045~160100 TO-249AB (PWR MOD) Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 160A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 160A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | TO-249AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-249AB | |
| 표준 포장 | 40 | |
| 다른 이름 | FST160100GN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FST160100 | |
| 관련 링크 | FST16, FST160100 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | B43501A5187M60 | 180µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 740 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501A5187M60.pdf | |
![]() | BFC237662123 | 0.012µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC237662123.pdf | |
![]() | LQH43MN470K03L | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 1.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | LQH43MN470K03L.pdf | |
![]() | GMH1038SL220J3K | GMH1038SL220J3K MURATA SMD | GMH1038SL220J3K.pdf | |
![]() | 583650-000 | 583650-000 Tyco con | 583650-000.pdf | |
![]() | MB113T402 | MB113T402 FUJI DIP-40 | MB113T402.pdf | |
![]() | VPC3230D B2 | VPC3230D B2 MICRONAS QFP80L | VPC3230D B2.pdf | |
![]() | F911D106MCC | F911D106MCC NICHICON SMD | F911D106MCC.pdf | |
![]() | LSC501987P | LSC501987P MOT DIP | LSC501987P.pdf | |
![]() | NACE470M50V6.3X8 | NACE470M50V6.3X8 NIC SMD or Through Hole | NACE470M50V6.3X8.pdf | |
![]() | K6F2016R4E-EF70 | K6F2016R4E-EF70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F2016R4E-EF70.pdf |