창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FST120100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FST12045~120100 TO-249AB (PWR MOD) Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 120A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | TO-249AB | |
공급 장치 패키지 | TO-249AB | |
표준 포장 | 40 | |
다른 이름 | FST120100GN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FST120100 | |
관련 링크 | FST12, FST120100 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
BFC238061822 | 8200pF Film Capacitor 200V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | BFC238061822.pdf | ||
CB2518T100K | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 325 mOhm Max 1007 (2518 Metric) | CB2518T100K.pdf | ||
2510-52J | 15µH Unshielded Inductor 110mA 3.8 Ohm Max 2-SMD | 2510-52J.pdf | ||
120-08030-0010 | 120-08030-0010 AMIS PLCC | 120-08030-0010.pdf | ||
VIPLM6364MX | VIPLM6364MX NS SOP-8 | VIPLM6364MX.pdf | ||
R10E1P1JJ1.OK | R10E1P1JJ1.OK POTTER&BRUMFIELD ORIGINAL | R10E1P1JJ1.OK.pdf | ||
4308R-R09-181 | 4308R-R09-181 EaglePlasticDevices SMD or Through Hole | 4308R-R09-181.pdf | ||
IX1900CE (47C440AN-G721) | IX1900CE (47C440AN-G721) SHARP SMD or Through Hole | IX1900CE (47C440AN-G721).pdf | ||
M28W640FST70ZA6E-ST | M28W640FST70ZA6E-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | M28W640FST70ZA6E-ST.pdf | ||
RJ80503 400/256 | RJ80503 400/256 INTEL BGA | RJ80503 400/256.pdf | ||
BZV6-2RN | BZV6-2RN Honeywell SMD or Through Hole | BZV6-2RN.pdf | ||
Q41159.1 | Q41159.1 NVIDIA BGA | Q41159.1.pdf |