창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FRSONT019 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FRSONT019 | |
제품 교육 모듈 | Total Timing Technology | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Pericom | |
계열 | SaRonix-eCera™ FR | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | VCXO | |
주파수 | 19.44MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CMOS | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
전류 - 공급(최대) | 10mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.061"(1.55mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 2mA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FRSONT019 | |
관련 링크 | FRSON, FRSONT019 데이터 시트, Pericom 에이전트 유통 |
![]() | ASGTX-C-125.000MHZ-1-T | 125MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 45mA | ASGTX-C-125.000MHZ-1-T.pdf | |
![]() | DSC1122CI5-025.0000T | 25MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Enable/Disable | DSC1122CI5-025.0000T.pdf | |
![]() | CMF60649K00FKEB | RES 649K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60649K00FKEB.pdf | |
![]() | MSA-4N | MSA-4N NEC SMD or Through Hole | MSA-4N.pdf | |
![]() | 4D18-10uh.4r7.22uh.68uh | 4D18-10uh.4r7.22uh.68uh ORIGINAL SMD or Through Hole | 4D18-10uh.4r7.22uh.68uh.pdf | |
![]() | TC18-027 | TC18-027 ORIGINAL PB | TC18-027.pdf | |
![]() | SPHE8281AE-U | SPHE8281AE-U SPHE QFP | SPHE8281AE-U.pdf | |
![]() | DN637E2.1 | DN637E2.1 BOSCH SMD or Through Hole | DN637E2.1.pdf | |
![]() | 2R5TPD470M5 | 2R5TPD470M5 SANYO SMD or Through Hole | 2R5TPD470M5.pdf | |
![]() | HI9P5701 | HI9P5701 HARRIS SOP20 | HI9P5701.pdf | |
![]() | M378B5773CH0-CH9 (DDR3 2G PC1333 SAMSUNG | M378B5773CH0-CH9 (DDR3 2G PC1333 SAMSUNG Samsung SMD or Through Hole | M378B5773CH0-CH9 (DDR3 2G PC1333 SAMSUNG.pdf |