창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FRM3WSJR-73-12R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Leaded Resistors Guide FRM Series | |
제품 교육 모듈 | Leaded Resistors | |
주요제품 | Fusible Through-Hole Resistors | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | FRM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 12 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 3W | |
구성 | 메탈 필름 | |
특징 | 난연성, 가용성, 안전 | |
온도 계수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.197" Dia x 0.610" L(5.00mm x 15.50mm) | |
높이 | - | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FRM3WSJR-73-12R | |
관련 링크 | FRM3WSJR-, FRM3WSJR-73-12R 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
![]() | 0481010.HXESD | FUSE INDICATING 10A 125VAC/VDC | 0481010.HXESD.pdf | |
![]() | S0603-151NG2S | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 980 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-151NG2S.pdf | |
![]() | EI16C554DCQ | EI16C554DCQ EI QFP | EI16C554DCQ.pdf | |
![]() | 3384-15UT/S400-X10 | 3384-15UT/S400-X10 EVERLIGHT ROHS | 3384-15UT/S400-X10.pdf | |
![]() | TEPSLB20J227M(35)8R | TEPSLB20J227M(35)8R ORIGINAL SMD or Through Hole | TEPSLB20J227M(35)8R.pdf | |
![]() | 1346004/3C | 1346004/3C TI QFP | 1346004/3C.pdf | |
![]() | AMC32V72T8S4GAM | AMC32V72T8S4GAM ATP SMD or Through Hole | AMC32V72T8S4GAM.pdf | |
![]() | 19-21VYC/TR8(HT)/ | 19-21VYC/TR8(HT)/ EVERLIGHT SMD or Through Hole | 19-21VYC/TR8(HT)/.pdf | |
![]() | HG73C002TE | HG73C002TE HIT QFP | HG73C002TE.pdf | |
![]() | SNA-589 | SNA-589 SIRENZA SOT89 | SNA-589.pdf | |
![]() | M378B2873FHS-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM | M378B2873FHS-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M378B2873FHS-CH9 (DDR3/1G/1333/Long-DIMM.pdf |