창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FR12J02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FR12B02~JR02 DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 12A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 12A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 250ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-4 | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5 | |
다른 이름 | FR12J02GN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FR12J02 | |
관련 링크 | FR12, FR12J02 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 445W3XS13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 시리즈 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XS13M00000.pdf | |
![]() | 416F37425IAR | 37.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37425IAR.pdf | |
![]() | ASGTX-P-98.304MHZ-2-T2 | 98.304MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-98.304MHZ-2-T2.pdf | |
![]() | AST3TQ53-V-16.384MHZ-1-C-T5 | 16.384MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-V-16.384MHZ-1-C-T5.pdf | |
![]() | HRG3216P-4300-D-T1 | RES SMD 430 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-4300-D-T1.pdf | |
![]() | 54HC373 | 54HC373 ORIGINAL CDIP16 | 54HC373.pdf | |
![]() | 40Z4383 | 40Z4383 VITEC SMD-40 | 40Z4383.pdf | |
![]() | P1104UMC | P1104UMC Littlefu MS-013 | P1104UMC.pdf | |
![]() | MAX2980CCB+ | MAX2980CCB+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX2980CCB+.pdf | |
![]() | A7707EB | A7707EB ORIGINAL SMD or Through Hole | A7707EB.pdf | |
![]() | DW84C5V6NND03 R3 WBFBP-03B | DW84C5V6NND03 R3 WBFBP-03B ORIGINAL SMD or Through Hole | DW84C5V6NND03 R3 WBFBP-03B.pdf | |
![]() | ESME201LGB272MAC0M | ESME201LGB272MAC0M NIPPONCHEMI-COM DIP | ESME201LGB272MAC0M.pdf |