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Fairchild Semiconductor FQU1N80TU

FQU1N80TU
제조업체 부품 번호
FQU1N80TU
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
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내부 부품 번호EIS-FQU1N80TU
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQD1N80, FQU1N80
PCN 조립/원산지Additional MFG Site 3/Dec/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs20옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds195pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 70
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQU1N80TU
관련 링크FQU1N, FQU1N80TU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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