창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQU10N20CTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD/ FQU10N20C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQU10N20CTU | |
| 관련 링크 | FQU10N, FQU10N20CTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | GRM1556S1H6R3CZ01D | 6.3pF 50V 세라믹 커패시터 S2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556S1H6R3CZ01D.pdf | |
|  | VDZT2R10B | DIODE ZENER 10V 100MW VMD2 | VDZT2R10B.pdf | |
|  | TACR156M004RNJ | TACR156M004RNJ AVX R | TACR156M004RNJ.pdf | |
|  | M5226F | M5226F MIT N A | M5226F.pdf | |
|  | T0806MH | T0806MH ST TO-220 | T0806MH.pdf | |
|  | PL611S-D1-374TC-R | PL611S-D1-374TC-R ORIGINAL SMD or Through Hole | PL611S-D1-374TC-R.pdf | |
|  | NNCD5.6LH-T1B TEL:82766440 | NNCD5.6LH-T1B TEL:82766440 NEC SMD or Through Hole | NNCD5.6LH-T1B TEL:82766440.pdf | |
|  | NACE3R3M100V6.3X6.3TR13F | NACE3R3M100V6.3X6.3TR13F NICCOMP SMD | NACE3R3M100V6.3X6.3TR13F.pdf | |
|  | TC35856BF | TC35856BF TOSH QFP | TC35856BF.pdf | |
|  | AN2903FJQ-V | AN2903FJQ-V PANASONIC SMD or Through Hole | AN2903FJQ-V.pdf |