창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQU10N20CTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQD/ FQU10N20C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 70 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQU10N20CTU | |
| 관련 링크 | FQU10N, FQU10N20CTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | TAS-151-01 | TAS-151-01 TAMAGAWA MODEL | TAS-151-01.pdf | |
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![]() | HDSP-N103 | HDSP-N103 AVAGO DIP | HDSP-N103.pdf | |
![]() | RV2-50V1R0MB55U-R | RV2-50V1R0MB55U-R ELNA SMD | RV2-50V1R0MB55U-R.pdf | |
![]() | 11155-106-688 | 11155-106-688 ELNA SMD or Through Hole | 11155-106-688.pdf | |
![]() | NUD4700SNT1G. | NUD4700SNT1G. ORIGINAL SMD or Through Hole | NUD4700SNT1G..pdf | |
![]() | FQP5N40C | FQP5N40C FSC TO-220 | FQP5N40C.pdf |