창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQT7N10LTF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQT7N10L MA04A Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 850mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FQT7N10LTFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQT7N10LTF | |
관련 링크 | FQT7N1, FQT7N10LTF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | FR207(ROHS) | FR207(ROHS) MIC DIP | FR207(ROHS).pdf | |
![]() | ECQE1A823JT | ECQE1A823JT PANASONIC SMD or Through Hole | ECQE1A823JT.pdf | |
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![]() | SST29EE0104CNH | SST29EE0104CNH sst SMD or Through Hole | SST29EE0104CNH.pdf | |
![]() | MB3615PF-G-BND-EF | MB3615PF-G-BND-EF FUJ SMD | MB3615PF-G-BND-EF.pdf | |
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