Fairchild Semiconductor FQT1N80TF_WS

FQT1N80TF_WS
제조업체 부품 번호
FQT1N80TF_WS
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
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내부 부품 번호EIS-FQT1N80TF_WS
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MA04A Pkg Drawing
FQT1N80TF_WS
카탈로그 페이지 1599 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs20옴 @ 100mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds195pF @ 25V
전력 - 최대2.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223-3
표준 포장 4,000
다른 이름FQT1N80TF_WSTR
FQT1N80TFWS
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FQT1N80TF_WS
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