창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF9N90CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP9N90C, FQPF9N90C | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF9N90CT | |
| 관련 링크 | FQPF9N, FQPF9N90CT 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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| NRS6028T220MMGJ | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 175.5 mOhm Max Nonstandard | NRS6028T220MMGJ.pdf | ||
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![]() | HMC995LP5GETR | RF Amplifier IC VSAT 12GHz ~ 16GHz 24-QFN (5x5) | HMC995LP5GETR.pdf | |
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![]() | CSS5019-0701FSZ | CSS5019-0701FSZ SMK SMD or Through Hole | CSS5019-0701FSZ.pdf | |
![]() | FI-A2012-471JJT | FI-A2012-471JJT CTC SMD | FI-A2012-471JJT.pdf | |
![]() | G5Q-1A-DC12V | G5Q-1A-DC12V OMRON SMD or Through Hole | G5Q-1A-DC12V.pdf | |
![]() | EKZM6R3ELL152MH20D | EKZM6R3ELL152MH20D NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | EKZM6R3ELL152MH20D.pdf | |
![]() | AA0025 | AA0025 CMD USOP-8P | AA0025.pdf |