창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF8N90C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP(F)8N90C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF8N90C | |
| 관련 링크 | FQPF8, FQPF8N90C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 1812CC103JAT1A\SB | 10000pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812CC103JAT1A\SB.pdf | |
![]() | TNPU1206130KAZEN00 | RES SMD 130K OHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU1206130KAZEN00.pdf | |
![]() | LC75700T | LC75700T Sanyo TSSOP20 | LC75700T.pdf | |
![]() | HY5V52EMP-H | HY5V52EMP-H HYNIX FBGA | HY5V52EMP-H.pdf | |
![]() | DE5077486SL470J2K | DE5077486SL470J2K MURATA SMD or Through Hole | DE5077486SL470J2K.pdf | |
![]() | ST2464 | ST2464 ST SMD or Through Hole | ST2464.pdf | |
![]() | IMP810JEUR-T/IMP810SEUR-T | IMP810JEUR-T/IMP810SEUR-T IMP SOT23 | IMP810JEUR-T/IMP810SEUR-T.pdf | |
![]() | K3750PCE-100.00MHZ | K3750PCE-100.00MHZ CHUNGHO SMD or Through Hole | K3750PCE-100.00MHZ.pdf | |
![]() | LC6554H-4301 | LC6554H-4301 SANYO DIP-64 | LC6554H-4301.pdf | |
![]() | 30GZ | 30GZ ORIGINAL SMD | 30GZ.pdf |