Fairchild Semiconductor FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU
제조업체 부품 번호
FQPF8N80CYDTU
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F
데이터 시트 다운로드
다운로드
FQPF8N80CYDTU 가격 및 조달

가능 수량

8706 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 905.58328
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FQPF8N80CYDTU 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQPF8N80CYDTU 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQPF8N80CYDTU가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FQPF8N80CYDTU 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQPF8N80CYDTU 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQPF8N80CYDTU
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQP8N80C, FQPF8N80C
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Passivation Material 26/June/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.55옴 @ 4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs45nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2050pF @ 25V
전력 - 최대59W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQPF8N80CYDTU
관련 링크FQPF8N8, FQPF8N80CYDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FQPF8N80CYDTU 의 관련 제품
100MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable ASG-D-X-B-100.000MHZ.pdf
RES SMD 4.32 OHM 1% 1/8W 0805 CRCW08054R32FKEA.pdf
RES SMD 1.5 OHM 1% 1W 2512 AC2512FK-071R5L.pdf
IRKH136-04 IR MOKUAI IRKH136-04.pdf
HD647318F16 HITACHI QFP HD647318F16.pdf
G5121TP1U. GMT SOT23-6 G5121TP1U..pdf
MC78M06DT-T4 MOT SMD or Through Hole MC78M06DT-T4.pdf
218S4EASA31HK IXP400 SB400 ATI BGA 218S4EASA31HK IXP400 SB400.pdf
ATTINY12-8PC . ATMEL DIP8 ATTINY12-8PC ..pdf
CM200C/32.768KHZ/6PF/20PPM/ROHS CITIZEN 8x3.8x2.5MM CM200C/32.768KHZ/6PF/20PPM/ROHS.pdf
IS41LV1600-60KI ISSI SOJ IS41LV1600-60KI.pdf
3448-3934 CATALYST SMD or Through Hole 3448-3934.pdf