창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF7N60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQPF7N60 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 2.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1430pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF7N60 | |
| 관련 링크 | FQPF, FQPF7N60 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A560JAT2A | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A560JAT2A.pdf | |
![]() | PHP00805E1802BBT1 | RES SMD 18K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1802BBT1.pdf | |
![]() | RCP0603W36R0JS2 | RES SMD 36 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603W36R0JS2.pdf | |
![]() | SS83 | SS83 VISHAY DO-214AB | SS83.pdf | |
![]() | DM74S18N | DM74S18N NSC DIP | DM74S18N.pdf | |
![]() | BZX84C3V0TA | BZX84C3V0TA ZTX SOT-23 | BZX84C3V0TA.pdf | |
![]() | 97942-560R277H01/C | 97942-560R277H01/C ATMEL PGA | 97942-560R277H01/C.pdf | |
![]() | JG0-0032 | JG0-0032 Pulse SMD or Through Hole | JG0-0032.pdf | |
![]() | STB4N100 | STB4N100 ST SOT-263 | STB4N100.pdf | |
![]() | MAX324ECAI | MAX324ECAI MAXIM SSOP-28 | MAX324ECAI.pdf | |
![]() | BZX55C22V | BZX55C22V ST DO-35 | BZX55C22V.pdf | |
![]() | PRN10010N | PRN10010N TI SOP DIP | PRN10010N.pdf |