창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF5N90 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQPF5N90 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.3옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1550pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 51W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF5N90 | |
| 관련 링크 | FQPF, FQPF5N90 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IHSM3825ER1R8L | 1.8µH Unshielded Inductor 4.27A 22 mOhm Max Nonstandard | IHSM3825ER1R8L.pdf | |
![]() | OD394JE | RES 390K OHM 1/4W 5% AXIAL | OD394JE.pdf | |
![]() | PMBT2222ALT1 | PMBT2222ALT1 NXP SMD or Through Hole | PMBT2222ALT1.pdf | |
![]() | TPS54327DDARG4 | TPS54327DDARG4 TI SOP8 | TPS54327DDARG4.pdf | |
![]() | MS11 | MS11 CIRRUS SMD or Through Hole | MS11.pdf | |
![]() | NCTF-6S8M-300(Nine Square) | NCTF-6S8M-300(Nine Square) ORIGINAL SMD or Through Hole | NCTF-6S8M-300(Nine Square).pdf | |
![]() | HMS38112M-RD120D | HMS38112M-RD120D ORIGINAL SOP-20 | HMS38112M-RD120D.pdf | |
![]() | PTS635VH31LFS | PTS635VH31LFS C&KComponents SMD or Through Hole | PTS635VH31LFS.pdf | |
![]() | TPS5430DAR | TPS5430DAR TI SOP8 | TPS5430DAR.pdf | |
![]() | ECOS1HA822EA | ECOS1HA822EA PANASONIC DIP | ECOS1HA822EA.pdf |