창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQPF33N10L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQPF33N10L | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1630pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 41W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQPF33N10L-ND FQPF33N10LFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQPF33N10L | |
관련 링크 | FQPF33, FQPF33N10L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 406C35E16M93440 | 16.9344MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406C35E16M93440.pdf | |
![]() | LD2-100-R | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 3.83A 70 mOhm Max Nonstandard | LD2-100-R.pdf | |
![]() | 1-1416250-9 | V23092B1009A201 | 1-1416250-9.pdf | |
![]() | BFR52 | BFR52 TI SMD or Through Hole | BFR52.pdf | |
![]() | FP1451P | FP1451P FEELING DIP-16 | FP1451P.pdf | |
![]() | 5A240VAC | 5A240VAC ST DIP-2 | 5A240VAC.pdf | |
![]() | TLP296G-F | TLP296G-F TOSHIBA DIP-8 | TLP296G-F.pdf | |
![]() | LX8385-05CDD | LX8385-05CDD LINFINITY TO-263 | LX8385-05CDD.pdf | |
![]() | 2512 0.02R-0.091R +-5% | 2512 0.02R-0.091R +-5% ORIGINAL SMD or Through Hole | 2512 0.02R-0.091R +-5%.pdf | |
![]() | M29W128FL70N6E | M29W128FL70N6E ST 56-TSO | M29W128FL70N6E.pdf | |
![]() | CS51023A | CS51023A ON SOP-16 | CS51023A.pdf |