창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQPF33N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQPF33N10 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 41W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQPF33N10 | |
관련 링크 | FQPF3, FQPF33N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 0FLQ.300T | FUSE CRTRDGE 300MA 500VAC/300VDC | 0FLQ.300T.pdf | |
![]() | 6760A | 6760A ORIGINAL SOP8 | 6760A.pdf | |
![]() | TS922IY | TS922IY ST SOP8 | TS922IY.pdf | |
![]() | TLP581(F) | TLP581(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP581(F).pdf | |
![]() | TMS9911ANL | TMS9911ANL TI DIP | TMS9911ANL.pdf | |
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![]() | MB29LV160TE70TN-KEI | MB29LV160TE70TN-KEI ORIGINAL SMD or Through Hole | MB29LV160TE70TN-KEI.pdf | |
![]() | DIG-11-08-050 | DIG-11-08-050 DIONICS SMD or Through Hole | DIG-11-08-050.pdf | |
![]() | 74LVX132DR | 74LVX132DR ON SOP | 74LVX132DR.pdf | |
![]() | PAP1302 | PAP1302 ORIGINAL SMD or Through Hole | PAP1302.pdf | |
![]() | LTC3564EDCB#PBF | LTC3564EDCB#PBF LT SMD or Through Hole | LTC3564EDCB#PBF.pdf |