창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQPF2N80YDTU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQPF2N80YDTU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3옴 @ 750mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 성형 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQPF2N80YDTU | |
관련 링크 | FQPF2N8, FQPF2N80YDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CRCW08053K83FKEAHP | RES SMD 3.83K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW08053K83FKEAHP.pdf | |
![]() | 36557 | 36557 ORIGINAL PLCC-68 | 36557.pdf | |
![]() | BD5223FVE-TR | BD5223FVE-TR ROHM SMD or Through Hole | BD5223FVE-TR.pdf | |
![]() | P30/19-3F3-A1000 | P30/19-3F3-A1000 FERROX SMD or Through Hole | P30/19-3F3-A1000.pdf | |
![]() | H3153-01 | H3153-01 HARWIN SMD or Through Hole | H3153-01.pdf | |
![]() | MAX4109ESA | MAX4109ESA MAXIM SMD or Through Hole | MAX4109ESA.pdf | |
![]() | BHS10 | BHS10 DELTRON SMD or Through Hole | BHS10.pdf | |
![]() | 13003D-258 | 13003D-258 ORIGINAL TO-220 | 13003D-258.pdf | |
![]() | MAX8676ELB+T | MAX8676ELB+T MAXIM QFN-40 | MAX8676ELB+T.pdf | |
![]() | 86367 | 86367 MURR SMD or Through Hole | 86367.pdf | |
![]() | AG920-07 | AG920-07 NVE SMD or Through Hole | AG920-07.pdf | |
![]() | NLE-A4R7M35V5X13TR | NLE-A4R7M35V5X13TR ORIGINAL SMD or Through Hole | NLE-A4R7M35V5X13TR.pdf |