Fairchild Semiconductor FQPF2N80YDTU

FQPF2N80YDTU
제조업체 부품 번호
FQPF2N80YDTU
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
FQPF2N80YDTU 가격 및 조달

가능 수량

9350 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,156.59500
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FQPF2N80YDTU 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQPF2N80YDTU 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQPF2N80YDTU가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FQPF2N80YDTU 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQPF2N80YDTU 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQPF2N80YDTU
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQPF2N80YDTU
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.3옴 @ 750mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds550pF @ 25V
전력 - 최대35W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 성형 리드(Lead)
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQPF2N80YDTU
관련 링크FQPF2N8, FQPF2N80YDTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FQPF2N80YDTU 의 관련 제품
390µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 510 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C SLPX391M420H5P3.pdf
ELECTROLYTIC 277LMB450M2EE.pdf
Center Frequency 1250MHz Voltage Controlled Oscillator 0.5 ~ 4.5 V 3 ±3 dBm -15 dBc CRBV55BE-1000-1500.pdf
RES SMD 267 OHM 0.1% 1/16W 0402 ERA-2APB2670X.pdf
RES 1.02K OHM 1/2W 0.1% AXIAL CMF551K0200BEEK.pdf
MT28F640J3FS-115 XMET MicronTechnologyInc 64-FBGA MT28F640J3FS-115 XMET.pdf
SSP2N60 FSC SMD or Through Hole SSP2N60.pdf
CL160808T-1R5K-N PILKOR SMD or Through Hole CL160808T-1R5K-N.pdf
TZ400N02KOF EUPEC SMD or Through Hole TZ400N02KOF.pdf
RN1404 / XD TOSHIBA SOT-23 RN1404 / XD.pdf
AD2S44-SM10B AnalogDevicesInc SMD or Through Hole AD2S44-SM10B.pdf
74LCX257DT ON TSSOP 74LCX257DT.pdf