창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF15P12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQPF15P12 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 41W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF15P12 | |
| 관련 링크 | FQPF1, FQPF15P12 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RT0805WRC0751RL | RES SMD 51 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC0751RL.pdf | |
![]() | 7704302XA | 7704302XA ORIGINAL SMD or Through Hole | 7704302XA.pdf | |
![]() | HYB-4K | HYB-4K TAIYOYUD ICHYBRI | HYB-4K.pdf | |
![]() | VJ1206Y103MXETML | VJ1206Y103MXETML Vishay SMD | VJ1206Y103MXETML.pdf | |
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![]() | MCF5484CVR200 | MCF5484CVR200 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCF5484CVR200 .pdf | |
![]() | ERJ1TRQF2R0U | ERJ1TRQF2R0U PAS SMD or Through Hole | ERJ1TRQF2R0U.pdf | |
![]() | km4s2120dt-gh | km4s2120dt-gh ORIGINAL TSOP | km4s2120dt-gh.pdf |