창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP9N90C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP9N90C, FQPF9N90C TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 205W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FQP9N90C-ND FQP9N90CFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP9N90C | |
| 관련 링크 | FQP9, FQP9N90C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AD620AN/BN/SQ | AD620AN/BN/SQ AD SMD or Through Hole | AD620AN/BN/SQ.pdf | |
![]() | LT460D1CS8#TRPBF | LT460D1CS8#TRPBF LINEAR SOP8 | LT460D1CS8#TRPBF.pdf | |
![]() | C512-2R8N | C512-2R8N ORIGINAL PLCC | C512-2R8N.pdf | |
![]() | 744031330- | 744031330- WE SMD | 744031330-.pdf | |
![]() | TLC5618AID(TLV5618) | TLC5618AID(TLV5618) TI SOP | TLC5618AID(TLV5618).pdf | |
![]() | D1862-P.R.Q | D1862-P.R.Q ORIGINAL ATV | D1862-P.R.Q.pdf | |
![]() | J5R3 | J5R3 EDAL SMD or Through Hole | J5R3.pdf | |
![]() | PVZ23A104A01R02(POZ3AN-1-104N-T01) | PVZ23A104A01R02(POZ3AN-1-104N-T01) MURATA 3X3-100K | PVZ23A104A01R02(POZ3AN-1-104N-T01).pdf | |
![]() | BT131W-600.135 | BT131W-600.135 NXP SMD or Through Hole | BT131W-600.135.pdf | |
![]() | MMB25233BLT1 | MMB25233BLT1 OM SMD or Through Hole | MMB25233BLT1.pdf |