창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP8N90C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP(F)8N90C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 171W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP8N90C | |
관련 링크 | FQP8, FQP8N90C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | RG2012V-2210-W-T5 | RES SMD 221 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-2210-W-T5.pdf | |
![]() | MF0ICU1001W/V4D | MF0ICU1001W/V4D PHILIPS N A | MF0ICU1001W/V4D.pdf | |
![]() | SMRH5D18-270N | SMRH5D18-270N ruifeng SMD | SMRH5D18-270N.pdf | |
![]() | TIS84 | TIS84 ORIGINAL TO-92 | TIS84.pdf | |
![]() | PCI6140 | PCI6140 PLX QFP | PCI6140.pdf | |
![]() | 1N290 | 1N290 ORIGINAL DIP SMD | 1N290.pdf | |
![]() | FAR-F5QB-942M50-P2BB | FAR-F5QB-942M50-P2BB FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F5QB-942M50-P2BB.pdf | |
![]() | G2RK-1 5DC | G2RK-1 5DC Omron SMD or Through Hole | G2RK-1 5DC.pdf |