창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP8N80C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP8N80C, FQPF8N80C TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.55옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 178W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FQP8N80C-ND FQP8N80CFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP8N80C | |
| 관련 링크 | FQP8, FQP8N80C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D3R0CXCAJ | 3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R0CXCAJ.pdf | |
![]() | RP73D1J60K4BTG | RES SMD 60.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J60K4BTG.pdf | |
![]() | MNR14E0APJ621 | RES ARRAY 4 RES 620 OHM 1206 | MNR14E0APJ621.pdf | |
![]() | LV15C | LV15C EPCOS SMD | LV15C.pdf | |
![]() | US2JA-TR | US2JA-TR FAICHILD DO214AC | US2JA-TR.pdf | |
![]() | MT58L128L18PT-10 | MT58L128L18PT-10 MICRON TQFP | MT58L128L18PT-10.pdf | |
![]() | B6003NL | B6003NL PULSE DIPSOP | B6003NL.pdf | |
![]() | M30626MJP089GP-QT | M30626MJP089GP-QT RENESAS QFP | M30626MJP089GP-QT.pdf | |
![]() | BF992TRD | BF992TRD VISHAY SOT-143 | BF992TRD.pdf | |
![]() | BH9947FV-DGE2 | BH9947FV-DGE2 ROHM SSOP | BH9947FV-DGE2.pdf | |
![]() | PS9711-F4 | PS9711-F4 NEC SOP5 | PS9711-F4.pdf |