Fairchild Semiconductor FQP6N80C
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- FQP6N80C
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
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- FET - 단일
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- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
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FQP6N80C 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP6N80C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP(F)6N80C TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 158W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP6N80C | |
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