Fairchild Semiconductor FQP55N10

FQP55N10
제조업체 부품 번호
FQP55N10
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
데이터 시트 다운로드
다운로드
FQP55N10 가격 및 조달

가능 수량

9083 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 861.15740
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FQP55N10 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQP55N10 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQP55N10가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FQP55N10 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQP55N10 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQP55N10
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQP55N10
TO220B03 Pkg Drawing
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C55A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs26m옴 @ 27.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs98nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2730pF @ 25V
전력 - 최대155W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQP55N10
관련 링크FQP5, FQP55N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FQP55N10 의 관련 제품
RES SMD 430 OHM 0.1% 1/16W 0402 RG1005P-431-B-T5.pdf
RES 0.91 OHM 13W 5% AXIAL CW010R9100JE12HS.pdf
Current Sensor 500A 1 Channel Transformer w/Conditioning Bidirectional Probe RT 500.pdf
NTC Thermistor 40k Disc, 2.8mm Dia x 3.3mm W RL1005-22.1K-122-D1.pdf
DHD1.5-15-5 DC-DC SMD or Through Hole DHD1.5-15-5.pdf
FREEDOM Microchip SOP-8 FREEDOM.pdf
PHE840MB5680MB04R17T0 REVOX SMD PHE840MB5680MB04R17T0.pdf
TA31002AL UTC DIP8 TA31002AL.pdf
RN65C8983F VISHAY SMD or Through Hole RN65C8983F.pdf
SMD250 02 RAYCHEM SMD or Through Hole SMD250 02.pdf
R4257 ORIGINAL DIP-28 R4257.pdf
UT136EL-6 TO-252 T/R UTC SMD or Through Hole UT136EL-6 TO-252 T/R.pdf