창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP51N25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | FQP51N25 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-220 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | FQP51N25 | |
| 관련 링크 | FQP5, FQP51N25 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | PFR5102J100J11L4BULK | 1000pF Film Capacitor 63V 100V Polypropylene (PP) Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | PFR5102J100J11L4BULK.pdf | |
![]() | 402F30033CDR | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30033CDR.pdf | |
![]() | SE20PDHM3/84A | DIODE GEN PURP 200V 1.6A DO220AA | SE20PDHM3/84A.pdf | |
![]() | S3D-E3/9AT | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB | S3D-E3/9AT.pdf | |
![]() | MQC302-914 | MQC302-914 MURATA CRYSTAL8P959MHZ | MQC302-914.pdf | |
![]() | BZV13 | BZV13 ORIGINAL SOD68 | BZV13.pdf | |
![]() | HG62E11R83FB | HG62E11R83FB ORIGINAL SMD or Through Hole | HG62E11R83FB.pdf | |
![]() | MT41LC256K32D4PQ12(TSTDTS) | MT41LC256K32D4PQ12(TSTDTS) MICRONTECHNOLOGYINC SMD or Through Hole | MT41LC256K32D4PQ12(TSTDTS).pdf | |
![]() | MC8051M36L6V | MC8051M36L6V MOSYS ORIGINAL | MC8051M36L6V.pdf | |
![]() | PTC0002-01G | PTC0002-01G YCL RJ45 | PTC0002-01G.pdf | |
![]() | HLCPC100CATD | HLCPC100CATD AGI SMD or Through Hole | HLCPC100CATD.pdf | |
![]() | AD9380KSTZ150 | AD9380KSTZ150 DALLAS QFP | AD9380KSTZ150.pdf |