창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP50N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP50N06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1540pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP50N06-ND FQP50N06FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP50N06 | |
관련 링크 | FQP5, FQP50N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CTX82-2-R | 82µH Unshielded Toroidal Inductor Nonstandard | CTX82-2-R.pdf | |
![]() | MSM56V16160F-8TK | MSM56V16160F-8TK OKI SDRAM-1M16 | MSM56V16160F-8TK.pdf | |
![]() | PBYB3045 | PBYB3045 TOH SMD or Through Hole | PBYB3045.pdf | |
![]() | M3541IB | M3541IB ST DIP | M3541IB.pdf | |
![]() | Z0107MN-5AA4 | Z0107MN-5AA4 ST SOT-223 | Z0107MN-5AA4.pdf | |
![]() | CR10KM-14L | CR10KM-14L MITSUBIS TO-220 | CR10KM-14L.pdf | |
![]() | CY28318 | CY28318 CYPRESS SSOP-56 | CY28318.pdf | |
![]() | UM-R-PC 40 | UM-R-PC 40 HRS SMD or Through Hole | UM-R-PC 40.pdf | |
![]() | A12FR40 | A12FR40 IR DO-4 | A12FR40.pdf | |
![]() | 2SF102 | 2SF102 NEC TO-5 | 2SF102.pdf | |
![]() | HRD12003E | HRD12003E SHINDENG DIP | HRD12003E.pdf | |
![]() | 74LVCH245APW-T | 74LVCH245APW-T NXP SMD or Through Hole | 74LVCH245APW-T.pdf |