창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP47P06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP47P06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 23.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP47P06 | |
관련 링크 | FQP4, FQP47P06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SMAJ64CAE3/TR13 | TVS DIODE 64VWM 103VC SMAJ | SMAJ64CAE3/TR13.pdf | |
![]() | TNPW060316K9BEEA | RES SMD 16.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060316K9BEEA.pdf | |
![]() | Y11726K18700T0W | RES SMD 6.187K OHM 1/10W 0805 | Y11726K18700T0W.pdf | |
![]() | CMF5599K000BEBF | RES 99K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5599K000BEBF.pdf | |
![]() | GCI313BV2 | GCI313BV2 GENERALPL SMD or Through Hole | GCI313BV2.pdf | |
![]() | PI3125LE | PI3125LE PERICOM TSSOP | PI3125LE.pdf | |
![]() | LQG15HS12NJ02K | LQG15HS12NJ02K MURATA SMD or Through Hole | LQG15HS12NJ02K.pdf | |
![]() | 16282-3SG-311 | 16282-3SG-311 CONXALL SMD or Through Hole | 16282-3SG-311.pdf | |
![]() | PD751901C | PD751901C TI BGA | PD751901C.pdf | |
![]() | SN103681P | SN103681P TIS Call | SN103681P.pdf | |
![]() | CL10J225KO8N3NC | CL10J225KO8N3NC SAMSUNG SMD | CL10J225KO8N3NC.pdf | |
![]() | SE1V106M05005PC480 | SE1V106M05005PC480 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1V106M05005PC480.pdf |