창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP3N80C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP3N80C, FQPF3N80C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 705pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP3N80C-ND FQP3N80CFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP3N80C | |
관련 링크 | FQP3, FQP3N80C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | KIA78005AP | KIA78005AP KEC IC | KIA78005AP.pdf | |
![]() | MC10H602FN | MC10H602FN MOT PLCC | MC10H602FN.pdf | |
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![]() | TA31122 | TA31122 TOSHIBA SOP | TA31122.pdf | |
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![]() | HD74ALVC1G66VSE | HD74ALVC1G66VSE HITACHI VSON-5 | HD74ALVC1G66VSE.pdf | |
![]() | 0603N110J500LT(0603-11P) | 0603N110J500LT(0603-11P) ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603N110J500LT(0603-11P).pdf | |
![]() | 74LVCH162373APV | 74LVCH162373APV IDT SOP-46 | 74LVCH162373APV.pdf | |
![]() | 6482AIM | 6482AIM NS SOP-8 | 6482AIM.pdf | |
![]() | SC77520L | SC77520L ON/MOT CDIP14 | SC77520L.pdf | |
![]() | 2SC5066Y(TE85L) | 2SC5066Y(TE85L) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC5066Y(TE85L).pdf |