창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP3N60C | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP3N60C TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 14/May/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 565pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FQP3N60C-ND FQP3N60CFS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP3N60C | |
| 관련 링크 | FQP3, FQP3N60C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RC2012J3R0CS | RES SMD 3 OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J3R0CS.pdf | |
![]() | AA1218JK-07160KL | RES SMD 160K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218JK-07160KL.pdf | |
![]() | RG2012N-2550-W-T5 | RES SMD 255 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-2550-W-T5.pdf | |
![]() | 139/BCAJC | 139/BCAJC MOT CDIP | 139/BCAJC.pdf | |
![]() | KLX-03 | KLX-03 ORIGINAL SMD or Through Hole | KLX-03.pdf | |
![]() | UMH4NTN(H4) | UMH4NTN(H4) ROHM SOT363 | UMH4NTN(H4).pdf | |
![]() | P04 | P04 ORIGINAL SMD or Through Hole | P04.pdf | |
![]() | DESD32H151KA2B | DESD32H151KA2B MURATA DIP | DESD32H151KA2B.pdf | |
![]() | FED30-48D12W | FED30-48D12W P-DUKE SMD or Through Hole | FED30-48D12W.pdf | |
![]() | KS-01-B WHITE | KS-01-B WHITE PUSHSWITC SMD or Through Hole | KS-01-B WHITE.pdf | |
![]() | S3C2443X40-YL8N | S3C2443X40-YL8N SAMSUNG BGA | S3C2443X40-YL8N.pdf |