창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP3N30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP3N30 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 230pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 55W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP3N30 | |
관련 링크 | FQP3, FQP3N30 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ASVMPLP-123.520MHZ-T | 123.52MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Enable/Disable | ASVMPLP-123.520MHZ-T.pdf | |
![]() | DWM2F100N040N | DWM2F100N040N DAWIN MODULE | DWM2F100N040N.pdf | |
![]() | SST25VF512A-33-4C-QA | SST25VF512A-33-4C-QA SST SOP | SST25VF512A-33-4C-QA.pdf | |
![]() | K7N163645A-FC16 | K7N163645A-FC16 SAMSUNG BGA | K7N163645A-FC16.pdf | |
![]() | 7017X6-100 | 7017X6-100 CML ROHS | 7017X6-100.pdf | |
![]() | RC4531T | RC4531T RCY TO-99 | RC4531T.pdf | |
![]() | BTB06-600B/C | BTB06-600B/C ST TO-220 | BTB06-600B/C.pdf | |
![]() | SMCJLCE110A | SMCJLCE110A TAYCHIPST SMD or Through Hole | SMCJLCE110A.pdf | |
![]() | K11452W | K11452W ORIGINAL PGA | K11452W.pdf | |
![]() | 15-22/R6BHC-A06 | 15-22/R6BHC-A06 EVERLIGHT SMD or Through Hole | 15-22/R6BHC-A06.pdf | |
![]() | MAX1502TETJ+ | MAX1502TETJ+ MAXIM SMD or Through Hole | MAX1502TETJ+.pdf | |
![]() | RN73C2ATD1002 | RN73C2ATD1002 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN73C2ATD1002.pdf |