창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP33N10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP33N10 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 52m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 127W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP33N10 | |
| 관련 링크 | FQP3, FQP33N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | C2220C222KGRACTU | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) | C2220C222KGRACTU.pdf | |
|  | MKP383447063JKM2T0 | 0.47µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP383447063JKM2T0.pdf | |
|  | TU12F1000 | TU12F1000 AEG STUD | TU12F1000.pdf | |
|  | RD11SL T1 | RD11SL T1 NEC SMD or Through Hole | RD11SL T1.pdf | |
|  | EKS | EKS PERICOM SOT23 | EKS.pdf | |
|  | SXA04113001K5%REe3 | SXA04113001K5%REe3 VISHAY NOPB700MW | SXA04113001K5%REe3.pdf | |
|  | SAC2200FOA | SAC2200FOA EPSON QFP | SAC2200FOA.pdf | |
|  | MPC17A38VMEL | MPC17A38VMEL ON SSOP-36 | MPC17A38VMEL.pdf | |
|  | P08.095.05 | P08.095.05 THERMIK SMD or Through Hole | P08.095.05.pdf | |
|  | QTC4N29 | QTC4N29 ORIGINAL DIP | QTC4N29.pdf | |
|  | SMOS48N50D2 | SMOS48N50D2 SIRECTIFIER MODULE | SMOS48N50D2.pdf |