창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP30N06L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP30N06L TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP30N06L | |
| 관련 링크 | FQP30, FQP30N06L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 7032AEB | RELAY TIME DELAY | 7032AEB.pdf | |
![]() | RT2512BKE0749R9L | RES SMD 49.9 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0749R9L.pdf | |
![]() | 91J3R3E | RES 3.3 OHM 1.5W 5% AXIAL | 91J3R3E.pdf | |
![]() | DS1726U+ | SENSOR TEMPERATURE I2C 8UMAX | DS1726U+.pdf | |
![]() | AM7201 | AM7201 AMD DIP28 | AM7201.pdf | |
![]() | MX23C8000QS702 | MX23C8000QS702 MX SOP32 | MX23C8000QS702.pdf | |
![]() | S-93C56BD4I-J8T1G | S-93C56BD4I-J8T1G SEIKO SOP-8 | S-93C56BD4I-J8T1G.pdf | |
![]() | GNM3142A1H101KD01D | GNM3142A1H101KD01D MURATA SMD | GNM3142A1H101KD01D.pdf | |
![]() | DS75119N | DS75119N NS SMD or Through Hole | DS75119N.pdf | |
![]() | CU0D102MATANN | CU0D102MATANN SANYO SMD or Through Hole | CU0D102MATANN.pdf | |
![]() | SAL-O=953564P18 | SAL-O=953564P18 EXABYTE PLCC | SAL-O=953564P18.pdf |