창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP30N06L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP30N06L TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP30N06L | |
| 관련 링크 | FQP30, FQP30N06L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 8Z26070001 | 26MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z26070001.pdf | |
![]() | GX-F8B-P-C5 | Inductive Proximity Sensor 0.083" (2.1mm) IP68 Module | GX-F8B-P-C5.pdf | |
![]() | SD2470-002 | SD2470-002 FREE SMD or Through Hole | SD2470-002.pdf | |
![]() | G3VM-6F-S | G3VM-6F-S OMRON SMD or Through Hole | G3VM-6F-S.pdf | |
![]() | SAB87C52 | SAB87C52 SIEMENS PLCC44 | SAB87C52.pdf | |
![]() | C712PN1 | C712PN1 Powerex Module | C712PN1.pdf | |
![]() | AM28F512-150C3JC | AM28F512-150C3JC AMD PLCC | AM28F512-150C3JC.pdf | |
![]() | 16RIF100W15 | 16RIF100W15 IR SMD or Through Hole | 16RIF100W15.pdf | |
![]() | TC1016-5.0V-CT | TC1016-5.0V-CT MICROCHIP SOT25 | TC1016-5.0V-CT.pdf | |
![]() | TLC7701QDG4 | TLC7701QDG4 TI SMD or Through Hole | TLC7701QDG4.pdf | |
![]() | LD717CG | LD717CG ORIGINAL DIP | LD717CG.pdf |