창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP30N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP30N06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 945pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP30N06-ND FQP30N06FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP30N06 | |
관련 링크 | FQP3, FQP30N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C3225X7R1C106K200AB | 10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225X7R1C106K200AB.pdf | |
![]() | YFF31PC1C104MT000N | 0.1µF Feed Through Capacitor 16V 2A 40 mOhm 1206 (3216 Metric), 4 PC Pad | YFF31PC1C104MT000N.pdf | |
![]() | EL4453 | EL4453 EL SOP | EL4453.pdf | |
![]() | LY2F-MAQ1 220VAC | LY2F-MAQ1 220VAC OMRON SMD or Through Hole | LY2F-MAQ1 220VAC.pdf | |
![]() | 1990012 | 1990012 PHOEMNIX SMD or Through Hole | 1990012.pdf | |
![]() | RDA8207-B | RDA8207-B RDA SMD or Through Hole | RDA8207-B.pdf | |
![]() | HA1-5195/883 | HA1-5195/883 INTERSIL DIP | HA1-5195/883.pdf | |
![]() | IRFSL59N10D | IRFSL59N10D IR SMD or Through Hole | IRFSL59N10D.pdf | |
![]() | MDS30-12-03 | MDS30-12-03 ORIGINAL SMD or Through Hole | MDS30-12-03.pdf | |
![]() | CRA3A4E680JD | CRA3A4E680JD AVX SMD or Through Hole | CRA3A4E680JD.pdf | |
![]() | M66P512 | M66P512 OKI PLCC | M66P512.pdf |