창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP30N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP30N06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 945pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP30N06-ND FQP30N06FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP30N06 | |
관련 링크 | FQP3, FQP30N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MKP385222125JCI2B0 | 2200pF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | MKP385222125JCI2B0.pdf | ||
520R10HA16M3690 | 16.369MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3V 2mA | 520R10HA16M3690.pdf | ||
PWR3014W7R50JE | RES SMD 7.5 OHM 5% 1W 3014 | PWR3014W7R50JE.pdf | ||
KMQ63VB471M12X20LL | KMQ63VB471M12X20LL UMITEDCHEMI-CON DIP | KMQ63VB471M12X20LL.pdf | ||
M38B57M6-126FP | M38B57M6-126FP MIT QFP | M38B57M6-126FP.pdf | ||
CR3CM-10L | CR3CM-10L ORIGINAL TO-202 | CR3CM-10L.pdf | ||
GP13A | GP13A ORIGINAL SMD or Through Hole | GP13A.pdf | ||
RGF1A_NL | RGF1A_NL FSC DO-214AC(SMA) | RGF1A_NL.pdf | ||
2SB772--P--252 | 2SB772--P--252 NEC TO-252 | 2SB772--P--252.pdf | ||
LTC2489IDE#PBF | LTC2489IDE#PBF LINEAR SMD or Through Hole | LTC2489IDE#PBF.pdf | ||
XC2V1000-5FG575C | XC2V1000-5FG575C XILINX BGA | XC2V1000-5FG575C.pdf | ||
MO2CE | MO2CE ORIGINAL SOP8 | MO2CE.pdf |