창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP17P06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP17P06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP17P06 | |
관련 링크 | FQP1, FQP17P06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | YC124-JR-073R3L | RES ARRAY 4 RES 3.3 OHM 0804 | YC124-JR-073R3L.pdf | |
![]() | RNF12DTD22K1 | RES 22.1K OHM 1/2W .5% AXIAL | RNF12DTD22K1.pdf | |
![]() | AT84AS001CTPY | AT84AS001CTPY ev SMD or Through Hole | AT84AS001CTPY.pdf | |
![]() | K3200 | K3200 NA TO-220 | K3200.pdf | |
![]() | DTS-66N-V-T/R | DTS-66N-V-T/R ORIGINAL SMD or Through Hole | DTS-66N-V-T/R.pdf | |
![]() | EFM32-G880-SK-F128 | EFM32-G880-SK-F128 EnergyMicroAS SMD or Through Hole | EFM32-G880-SK-F128.pdf | |
![]() | MBM29F033C90PTNSF | MBM29F033C90PTNSF FJT N A | MBM29F033C90PTNSF.pdf | |
![]() | LT6660HCDC-3#TRMPBF | LT6660HCDC-3#TRMPBF LT 3-WFDFN | LT6660HCDC-3#TRMPBF.pdf | |
![]() | CDRH2D18/LDNP-6R8N | CDRH2D18/LDNP-6R8N SUMIDA SMD | CDRH2D18/LDNP-6R8N.pdf | |
![]() | 700246713 | 700246713 VERBATIM ORIGINAL | 700246713.pdf | |
![]() | HZM22NB2TL | HZM22NB2TL HITACHI TO23-3 | HZM22NB2TL.pdf |