창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP13N10 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP13N10 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 6.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP13N10 | |
관련 링크 | FQP1, FQP13N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RCP0505W13R0JED | RES SMD 13 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W13R0JED.pdf | |
![]() | Y079310K0000B9L | RES 10K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y079310K0000B9L.pdf | |
![]() | IR3P79 | IR3P79 MOT DIP14 | IR3P79.pdf | |
![]() | MN1450BVF | MN1450BVF PAN DIP | MN1450BVF.pdf | |
![]() | D137002A1 | D137002A1 EPSON QFP | D137002A1.pdf | |
![]() | GM76C256ALFW | GM76C256ALFW LGS SOP | GM76C256ALFW.pdf | |
![]() | 18F66J15-I/PT | 18F66J15-I/PT MICROCHIP SMD or Through Hole | 18F66J15-I/PT.pdf | |
![]() | M2Y12864DSH4C1G-5T/6 | M2Y12864DSH4C1G-5T/6 ELIXIR BGA | M2Y12864DSH4C1G-5T/6.pdf | |
![]() | UDZSGTE-174.3B | UDZSGTE-174.3B ROHM SMD or Through Hole | UDZSGTE-174.3B.pdf | |
![]() | SC21GG10RS-MN2-1 | SC21GG10RS-MN2-1 SEAM 1210 | SC21GG10RS-MN2-1.pdf | |
![]() | XM105BB | XM105BB ORIGINAL DIP-8 | XM105BB.pdf |