창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQP13N10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQP13N10 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 6.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 65W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQP13N10 | |
| 관련 링크 | FQP1, FQP13N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4609X-101--103LF/9PIN | 4609X-101--103LF/9PIN BOURNS IIIPBFREE | 4609X-101--103LF/9PIN.pdf | |
![]() | T6670 SLGLK | T6670 SLGLK INTEL PGA | T6670 SLGLK.pdf | |
![]() | M8340101K2200G | M8340101K2200G ORIGINAL SMD or Through Hole | M8340101K2200G.pdf | |
![]() | UPD70208L | UPD70208L ORIGINAL SMD or Through Hole | UPD70208L.pdf | |
![]() | 4AGH | 4AGH AD 3SOT23 | 4AGH.pdf | |
![]() | SFH636-001 | SFH636-001 INFINEON DIP-6 | SFH636-001.pdf | |
![]() | EADJ | EADJ MIC SOT23-5 | EADJ.pdf | |
![]() | BU4822FVE-TR | BU4822FVE-TR ROHM SMD or Through Hole | BU4822FVE-TR.pdf | |
![]() | ER412DM2-26A | ER412DM2-26A INFINEON TO-3P | ER412DM2-26A.pdf | |
![]() | RK73G2BTTD2102F | RK73G2BTTD2102F KOA SMD | RK73G2BTTD2102F.pdf | |
![]() | LTC2160IUK#PBF | LTC2160IUK#PBF LT SMD or Through Hole | LTC2160IUK#PBF.pdf |