Fairchild Semiconductor FQN1N60CTA

FQN1N60CTA
제조업체 부품 번호
FQN1N60CTA
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
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내부 부품 번호EIS-FQN1N60CTA
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQN1N60C
카탈로그 페이지 1600 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열QFET®
포장테이프 및 박스(TB)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C300mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11.5옴 @ 150mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs6.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds170pF @ 25V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead))
공급 장치 패키지TO-92-3
표준 포장 2,000
다른 이름FQN1N60CTA-ND
FQN1N60CTATB
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQN1N60CTA
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