창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQN1N50CTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQN1N50C | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 380mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 190mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 195pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | FQN1N50CTA-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQN1N50CTA | |
관련 링크 | FQN1N5, FQN1N50CTA 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CMF50316R00FKEB | RES 316 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50316R00FKEB.pdf | |
![]() | TMD26711 | Optical Sensor Ambient 850nm I²C 8-SMD Module | TMD26711.pdf | |
![]() | E3FA-DP25-F2 | ALT WIRING 0.3M RANGE M12 INFR | E3FA-DP25-F2.pdf | |
![]() | VUO100-12NO8 | VUO100-12NO8 IXYS SMD or Through Hole | VUO100-12NO8.pdf | |
![]() | SP3723BDCOPM | SP3723BDCOPM TEXAS QFP | SP3723BDCOPM.pdf | |
![]() | M37210M4-527SP | M37210M4-527SP ORIGINAL DIP-52P | M37210M4-527SP.pdf | |
![]() | AD8307ARZRC7 | AD8307ARZRC7 AD SMD or Through Hole | AD8307ARZRC7.pdf | |
![]() | BH9080F | BH9080F BH SMD or Through Hole | BH9080F.pdf | |
![]() | TC7SH86FTE85L | TC7SH86FTE85L TOS SOT23-5 | TC7SH86FTE85L.pdf | |
![]() | MB86507PFV-ES-BND | MB86507PFV-ES-BND ORIGINAL SMD or Through Hole | MB86507PFV-ES-BND.pdf | |
![]() | QMK325BJ473MN-T | QMK325BJ473MN-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | QMK325BJ473MN-T.pdf | |
![]() | TDA6120QN2+112 | TDA6120QN2+112 ph SMD or Through Hole | TDA6120QN2+112.pdf |