창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQI5N60CTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQB5N60C, FQI5N60C | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Passivation Material 26/June/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQI5N60CTU | |
| 관련 링크 | FQI5N6, FQI5N60CTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ILC0603ER2N2S | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | ILC0603ER2N2S.pdf | |
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![]() | X5165ZAL | X5165ZAL INTERSIL SOP8 | X5165ZAL.pdf | |
![]() | HL02U05S05 | HL02U05S05 MURATA DIP24 | HL02U05S05.pdf | |
![]() | HTSW10607LD | HTSW10607LD SAMTEC SMD or Through Hole | HTSW10607LD.pdf | |
![]() | UC28515DW | UC28515DW UC SOP20 | UC28515DW.pdf | |
![]() | DS1775R+ | DS1775R+ DALLAS SMD or Through Hole | DS1775R+.pdf |