창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQH8N100C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQH8N100C | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.45옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 225W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQH8N100C | |
관련 링크 | FQH8N, FQH8N100C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SE30PAJ-M3/I | DIODE ESD | SE30PAJ-M3/I.pdf | ||
VS-ETL1506STRLHM3 | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB | VS-ETL1506STRLHM3.pdf | ||
PTN1206E3611BST1 | RES SMD 3.61K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E3611BST1.pdf | ||
CRCW12061R58FKEAHP | RES SMD 1.58 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW12061R58FKEAHP.pdf | ||
1615RGB | 1615RGB ORIGINAL SMD or Through Hole | 1615RGB.pdf | ||
E5288-000011 | E5288-000011 ORIGINAL SMD or Through Hole | E5288-000011.pdf | ||
L1A2308-111475-00A | L1A2308-111475-00A ORIGINAL PLCC | L1A2308-111475-00A.pdf | ||
JS29F32B08JCME1 | JS29F32B08JCME1 Intel BGA | JS29F32B08JCME1.pdf | ||
CJ=CB | CJ=CB ORIGINAL CCXH | CJ=CB.pdf | ||
HU2F187M30025 | HU2F187M30025 SAMW DIP2 | HU2F187M30025.pdf | ||
N80C196K20 | N80C196K20 INTEL PLCC | N80C196K20.pdf | ||
VT221 | VT221 VOLTERR SMD or Through Hole | VT221.pdf |